SI7461DP-T1-GE3 MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Koarte beskriuwing:

Makkers: Vishay
Produktkategory:MOSFET
Gegevensblêd:SI7461DP-T1-GE3
Beskriuwing:MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
RoHS-status: RoHS-kompatibel


Produkt Detail

Features

Produkt Tags

♠ Produktbeskriuwing

Produkt Attribute Attribute Wearde
Fabrikant: Vishay
Produkt Kategory: MOSFET
RoHS: Details
Technology: Si
Montage styl: SMD/SMT
Pakket/koffer: SOIC-8
Transistor polariteit: P-kanaal
Oantal kanalen: 1 kanaal
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V
Id - Continuous Drain Current: 5.7 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 42m omt
Vgs - Gate-boarne spanning: - 10 V, + 10 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1 V
Qg - Gate Charge: 24 nc
Minimum wurktemperatuer: - 55 C
Maksimum wurktemperatuer: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 2,5 W
Kanaalmodus: Ferbettering
Hannelsnamme: TrenchFET
Ferpakking: Reel
Ferpakking: Tape snije
Ferpakking: MouseReel
Merk: Vishay Semiconductors
Konfiguraasje: Inkel
Fall Tiid: 30 ns
Forward Transconductance - Min: 13 S
Produkt Type: MOSFET
Tiid om op te stean: 42 ns
Searje: SI9
Factory Pack Quantity: 2500
Subkategory: MOSFETs
Transistor type: 1 P-kanaal
Typyske tiid foar útskeakeljen: 30 ns
Typyske fertragingstiid foar oanset: 14 ns
Diel # Aliassen: SI9435BDY-E3
Unit Gewicht: 750 mg

  • Foarige:
  • Folgjende:

  • • TrenchFET® macht MOSFETs

    • Low termyske ferset PowerPAK® pakket mei lege 1,07 mm profileEC

    relatearre produkten