CSD88537ND MOSFET 60-V Dual N-Channel Power MOSFET
♠ Produktbeskriuwing
| Produkt Attribute | Attribute Wearde |
| Fabrikant: | Texas Instruments |
| Produkt Kategory: | MOSFET |
| RoHS: | Details |
| Technology: | Si |
| Montage styl: | SMD/SMT |
| Pakket/koffer: | SOIC-8 |
| Transistor polariteit: | N-kanaal |
| Oantal kanalen: | 2 Kanaal |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 16 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 15 mOhm |
| Vgs - Gate-boarne spanning: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.6 V |
| Qg - Gate Charge: | 14 nc |
| Minimum wurktemperatuer: | - 55 C |
| Maksimum wurktemperatuer: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 2.1 W |
| Kanaalmodus: | Ferbettering |
| Hannelsnamme: | NexFET |
| Ferpakking: | Reel |
| Ferpakking: | Tape snije |
| Ferpakking: | MouseReel |
| Merk: | Texas Instruments |
| Konfiguraasje: | Dual |
| Fall Tiid: | 19 ns |
| Hichte: | 1,75 mm |
| Lingte: | 4,9 mm |
| Produkt Type: | MOSFET |
| Tiid om op te stean: | 15 ns |
| Searje: | CSD88537ND |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Subkategory: | MOSFETs |
| Transistor type: | 2 N-kanaal |
| Typyske tiid foar útskeakeljen: | 5 ns |
| Typyske fertragingstiid foar oanset: | 6 ns |
| Breedte: | 3,9 mm |
| Unit Gewicht: | 74 mg |
♠ CSD88537ND Dual 60-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
Dizze dûbele SO-8, 60 V, 12.5 mΩ NexFET ™ macht MOSFET is ûntworpen om te tsjinjen as in heale brêge yn tapassingen foar lege stroommotorkontrôle.
• Ultra-Low Qg en Qgd
• Avalanche Rated
• Pb Free
• RoHS Compliant
• Halogen Free
• Healbrêge foar Motor Control
• Syngroane Buck Converter
