IPD50N04S4-08 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
♠ Produktbeskriuwing
Produkt Attribute | Attribute Wearde |
Fabrikant: | Infineon |
Produkt Kategory: | MOSFET |
Technology: | Si |
Montage styl: | SMD/SMT |
Pakket / saak: | TO-252-3 |
Transistor polariteit: | N-kanaal |
Oantal kanalen: | 1 kanaal |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 7,2 mOhm |
Vgs - Gate-boarne spanning: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Qg - Gate Charge: | 22,4 nC |
Minimum wurktemperatuer: | - 55 C |
Maksimum wurktemperatuer: | + 175 C |
Pd - Power Dissipation: | 46 W |
Kanaalmodus: | Ferbettering |
Kwalifikaasje: | AEC-Q101 |
Hannelsnamme: | OptiMOS |
Ferpakking: | Reel |
Ferpakking: | Tape snije |
Ferpakking: | MouseReel |
Merk: | Infineon Technologies |
Konfiguraasje: | Inkel |
Fall Tiid: | 6 ns |
Hichte: | 2,3 mm |
Lingte: | 6,5 mm |
Produkt Type: | MOSFET |
Tiid om op te stean: | 7 ns |
Searje: | OptiMOS-T2 |
Factory Pack Quantity: | 2500 |
Subkategory: | MOSFETs |
Transistor type: | 1 N-kanaal |
Typyske tiid foar útskeakeljen: | 5 ns |
Typyske fertragingstiid foar oanset: | 5 ns |
Breedte: | 6,22 mm |
Diel # Aliassen: | IPD5N4S48XT SP000711450 IPD50N04S408ATMA1 |
Unit Gewicht: | 0.011640 oz |
• N-kanaal - Enhancement modus
• AEC kwalifisearre
• MSL1 oant 260 ° C peak reflow
• 175 ° C wurktemperatuer
• Grien produkt (konform RoHS)
• 100% Avalanche hifke