IPD50N04S4-08 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

Koarte beskriuwing:

Produsinten: Infineon
Produkt Kategory: MOSFET
Gegevensblêd:IPD50N04S4-08
Beskriuwing: MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
RoHS-status: RoHS-kompatibel


Produkt Detail

Features

Produkt Tags

♠ Produktbeskriuwing

Produkt Attribute Attribute Wearde
Fabrikant: Infineon
Produkt Kategory: MOSFET
Technology: Si
Montage styl: SMD/SMT
Pakket / saak: TO-252-3
Transistor polariteit: N-kanaal
Oantal kanalen: 1 kanaal
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 40 V
Id - Continuous Drain Current: 50 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 7,2 mOhm
Vgs - Gate-boarne spanning: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V
Qg - Gate Charge: 22,4 nC
Minimum wurktemperatuer: - 55 C
Maksimum wurktemperatuer: + 175 C
Pd - Power Dissipation: 46 W
Kanaalmodus: Ferbettering
Kwalifikaasje: AEC-Q101
Hannelsnamme: OptiMOS
Ferpakking: Reel
Ferpakking: Tape snije
Ferpakking: MouseReel
Merk: Infineon Technologies
Konfiguraasje: Inkel
Fall Tiid: 6 ns
Hichte: 2,3 mm
Lingte: 6,5 mm
Produkt Type: MOSFET
Tiid om op te stean: 7 ns
Searje: OptiMOS-T2
Factory Pack Quantity: 2500
Subkategory: MOSFETs
Transistor type: 1 N-kanaal
Typyske tiid foar útskeakeljen: 5 ns
Typyske fertragingstiid foar oanset: 5 ns
Breedte: 6,22 mm
Diel # Aliassen: IPD5N4S48XT SP000711450 IPD50N04S408ATMA1
Unit Gewicht: 0.011640 oz

  • Foarige:
  • Folgjende:

  • • N-kanaal - Enhancement modus
    • AEC kwalifisearre
    • MSL1 oant 260 ° C peak reflow
    • 175 ° C wurktemperatuer
    • Grien produkt (konform RoHS)
    • 100% Avalanche hifke

    relatearre produkten